硅上的名目

硅上的名目是本馆为一循之躯「算」这一层的几份讲稿（比特之价、堆叠之名、移动之税与换算之税、非此身之墙、脑构之芯、韬定律、停钟与断源）配的一张现实词汇对照表。本页不是界内记载：它不立一个新数，也不讲这具身体的事，只回答一个问题——那些讲稿里用到的词，在现实工程里通常怎么写、通常指什么。界内只用得到其中几格的数字，其余名目记在这里，是为了让读者知道那几格是从哪儿来的。^[1]

一片硅的三条边

晶圆（wafer）

还没切割的整张硅盘。现实里通行三百毫米直径。

裸片（die）

从晶圆上切下来的一块，即一个尚未封装的芯片。界内讲「一片四十五纳米硅」时指的是这一格。

光罩极限（reticle limit）

一次曝光能盖住的最大矩形，现实里约为二十六毫米乘三十三毫米，即八百多平方毫米。单颗裸片做不过这一格，这是面积的第一道硬界；所谓「把芯片拼得更大」，全是绕这一格的办法。

工艺节点（node）

以纳米数命名的代际，如「四十五纳米」。它不是任何一格尺寸的实测值，只是代际的商标。

良率（yield）

一张晶圆上能用的裸片占比。拼片方案的账多半落在这里，而界内没有一处算过它。

把几片拼起来的门路

封装（package）、基板（substrate）

把裸片接上引线、装上散热面、插进板子的那一层。

先进封装（advanced packaging）

一个品类名，不是一个等级。凡不走传统引线框架的拼法都在其内，差别极大，不可当证据用。

芯粒、小芯片（chiplet）

把一颗大裸片拆成几颗小的，分别流片，再封在一起。省的是良率与面积，不是电。

中介层（interposer）

一片放在裸片底下的「地板」，裸片之间的走线由它代劳。分硅中介层、有机中介层与扇出型三类。

硅通孔（TSV，through-silicon via）

竖着穿过硅片的导电孔。堆叠之所以谈得上「垂直」，全靠这一格。

微凸点（microbump）

两片之间的焊点，间距数十微米级。凸点密度约每平方毫米六百二十五个，是界内堆叠之名取的旧基准。

混合键合（hybrid bonding）

不要凸点，铜面对铜面直接压接，间距约一微米，凸点密度约每平方毫米一百万个。界内取的就是这一对比：约一千六百倍的互连密度，而非此身之墙已经算出这两具数据的搬运都不缺带宽。

扇出型晶圆级封装（FOPLP）

不做中介层，直接把裸片埋进重布线层，从晶圆级别成批封。

堆叠层数（stack height）

一个存储叠了几片。层数越高，越靠中间的片越难把热带出去。

单片三维（monolithic 3D）

在同一块硅上逐层长器件，而不是两片压在一起。与硅通孔堆叠是两条不同的路，界内讲稿常混用其名。

存储的一列

静态存储（SRAM）、寄存器堆（register file）

都在片上，都在比特之价那张表的便宜端。

主存（DRAM）

在片外。界内表上那一格「四千字节主存读出，一千二百八十四皮焦」，现实里是一次落空的取数（cache miss）的价格，不是连续流水搬运的价格。

高带宽存储（HBM）

把 DRAM 核片叠起来、竖穿硅通孔、拉到底下一颗基础裸片（base die）上，再与逻辑裸片并排放在中介层两侧。现实里主流加速卡的大多数字节走这一条路。

LPDDR、GDDR

两种贴在板子上的常规存储，离芯片比离计算远一层。

近存计算（near-memory computing）

把控制器搬到存储旁边。字节仍然移动，只是少走一段。省的是那一段，不是搬运本身。

存算一体、计算存贮器（in-memory computing / processing-in-memory）

让计算发生在存储阵列之内。界内移动之税与换算之税讲的正是它：搬运算不上账了，改收一次换算的账。

交叉阵列（crossbar）、电导写权

把权值写成每个格子的电导，输入走一遍行线，列线按基尔霍夫定律把乘积自动求和。

数模转换（ADC、DAC）、读出电路

交叉阵出来的是模拟量，要变成数字量才接着算。这一格的花费在文献里极少公布，界内自设了一个常数，并把它记在数之未验的软处表里。

量化（quantization）、位宽

一个权值用几个比特存。它把读与算同时打折，比例不动，绝对数动。

算法与硬件之间

乘加单元（MAC）

一次乘法加一次累加，神经网络账里的最小单位。界内以「一参数一乘加、一参数一字节」起算。

脉动阵列（systolic array）

一排乘加单元，数据像波纹一样在阵列里逐拍走过。它的脾气是喂不满就白搭。

算术强度（arithmetic intensity）

每搬一个字节做多少次运算。这是堆叠之名反复用的那个量。

屋顶线（roofline）

把「按算力能跑多快」和「按带宽能跑多快」两条线画在一张图上，取低的为实际上限。现实工程里判断瓶颈的常规图。

存储墙（memory wall）

上面那条低线长期由带宽决定时，人给它起的名字。非此身之墙整页就是来收回「这具身体的墙是它」这一句的。

事件驱动（event-driven）、稀疏（sparsity）

没有输入就不算。省的是乘加的次数，不省每次取权重的固定花费。

脉冲神经网络（SNN）、神经形态、类脑（neuromorphic）

三个近亲名目，指同一类按脉冲与事件干活的器件与算法。「类脑」是名目，不是证据：它说清排布方式，一格也不说明比谁省热。

峰值算力（TOPS）、能效（TOPS/W）、每比特能量（pJ/bit）

三个现实里互相打架的口径。峰值与现实能跑出的数之间通常差着数倍，界内管这个差叫「数之未验的口径之缝」。

电、热与时间的一列

韬定律、停钟与断源、专器之地与热漏之环四页用到的现实词汇，集中在这一栏。写法与上几栏同：只取通行含义。

阈值电压（Vt、threshold voltage）

管子开始导通所需的栅压。它是近阈值一节的下界——压到阈值以下，导通电流就改走指数规律。

亚阈值摆幅（S，subthreshold swing）

栅压每降一个数量级所需的毫伏数，室温下的理论下限约六十毫伏每十倍。现实器件多在六十到一百之间。

本界的常数表取八十毫伏每十倍，见数之未验。

近阈值电压（near-threshold、low-Vdd）

把工作电压压到略高于阈值的那一段。省电是真的，慢也是真的，且慢得比省得快。

最低能耗电压（minimum-energy voltage）

「一次算完的总能量」对电压那条下凹曲线的底。它存在的原因是漏电项随电压指数涨、动态项随电压平方降，两项相加必有极小。

这一格是韬定律第一条判语的落点。

时钟门控（clock gating、停钟）

掐掉某块的时钟使其不翻转。电子不动了，但每一根管子仍挂在电源上照漏。

电源门控（power gating、断源）

把该块的供给端整个切掉，漏电随之消失。代价是一次充放电和一段唤醒等待。

暗硅（dark silicon）

受功率预算限制而必须常年不通电的那部分面积。名字是现实文献里的通行叫法。

时间常数（τ）

电路响应慢到什么程度的量纲。凡以「τ」为名的工程律，说的都是它而不是电压。

本界那条律的名字正是从这个字母上错过两回，见涛定律与道定律。

时间缩微（temporal scaling）

与「几何缩微」相对的一条主张：往后的性能不再主要靠把管子做小，而靠把时间各层压缩。

现实里这是一个品类名，其具体路径各家说法不一，本页不替任何一家定其内容。

逻辑折叠（folded logic）

把组合逻辑的时间壁剁成几段、让它在同一块硅上多跑几趟，以时换面。与「流水线」的区别是它省的是寄存器与走线，不是深度。

内存并行度（MLP，memory-level parallelism）

同一时刻挂在外面的取数请求条数。它是「延迟」与「带宽」之间的那道换算：带宽够而并行度不够，仍然等数。

韬定律第二条判语算的正是这一格。

存取时间（t_ACCESS）

一次取数从发出到数据到手的时间，主存常在百纳秒量级。本界把它当一个未验常数用。

每字取数价、每字节线长

搬运的两种记账口径。前者按字（一词几个字节是接口定的），后者按字节——两者相差一个倍数，混用会算错四倍。

通用逻辑与专用集成电路（general-purpose logic、ASIC）

前者什么都能算而样样不省，后者只算一件事而算得便宜。界内那两条补丁说的就是这一换，本页只立名目；其在本界的账见专器之地。

漏电密度（leakage power density）

单位面积上不通电也在烧的瓦数，常以瓦每平方毫米或瓦每立方厘米计。它是专器之地那张表的税率。

结温（T_J，junction temperature）

硅自己的温度，不是房间的温度。经验规则：亚阈值漏电约每十开尔文翻一倍。

本界取三百一十开尔文为结温，取二百九十八开尔文为参考，两格皆是自设，见数之未验。

热阻（thermal resistance，开每瓦）

一瓦功率造成几度温升。片到冷却介质那一段叫 R，界内取定为 0.200 开每瓦。

它是热漏之环全页的自变量：那条「六十瓦」的配额能不能花，取决于这一个数。

反馈限与预算（feedback limit、budget）

预算是一条固定的墙；反馈限的位置随它自己管的东西移动。越热越漏、越漏越热那一圈给的是后者。现实工程里这叫热失控（thermal runaway）的下界，本页只立其名。

阈值工程（threshold engineering、Vt tuning）

用管子自身的门槛去换漏电，动器件而不动电压轨。与降供给是两件事，但在本界的账上花同一枚币，见热漏之环第三节。

功率侧信道（power side channel）

以功耗反推内容或状态的一门分析技术，现实里已有成熟成果。本页只立名目，其界内后果见表前之耳。

电能表（energy meter、瓦时积分表）

对功率积分的计费器具。它天然读得出能量与字节数，读不出的那一栏见表前之耳。

界内只用到六格

本页诸名目里，一循之躯的讲稿实际取数的只有以下几格：

• 比特之价表上十格的每次操作皮焦（现实公开文献值，四十五纳米）；
• 「一次主存读出对一次整数乘法」的比价 8.45，及由此而来的搬运份额 89.4%；
• 片上静态存储对主存的 41.4 倍、寄存器堆对主存的 117 倍；
• 混合键结对微凸点的约 1,600 倍凸点密度；
• 一兆字节阵列读出与四千字节主存读出各一格；
• 交叉阵每步换算 0.2 皮焦——此格非现实值，是本馆所记界内自设常数。

其余名目在此只是名目。本馆不替界内任何一页补它没有用过的数。

上栏「电、热与时间的一列」不添新数。韬定律、停钟与断源、专器之地与热漏之环所取的阈值电压、亚阈值摆幅、存取时间、去耦电容、唤醒时间、暗漏电密度、相邻跳步价与热阻，八格皆是界内自设常数，已逐格登记在数之未验的「算之一层自设的十格」表（该表另含迁移率指数、结温与十倍温两格，本页未列其名）。本页唯一一处新引入的量级是六十毫伏每十倍——那是亚阈值摆幅的现实理论下限，只用来说明上栏那一格落在什么区间，不参与界内任何一笔账。

本页不担保之事

• 不担保厂商。本馆不记任何一家现行器件的具体数值。
• 不担保译名。同一英文词在中英文文献里常有数名，本页取通行者，遇分歧则并列。
• 不担保新节点。四十五纳米是退役十年的工艺，当今近存器件的每次操作数值要多小有多小，且无人逐格公布，理由见比特之价。
• 不担保名目之分。上栏诸词的界线在现实文献里本就模糊，本页不假装比文献更清楚。
• 不担保一条律。凡以人名、代号或「定律」出现的现实工程主张，本页只记其名，不判其真伪；「时间缩微」在此只是一个名目。本页亦不以界内的算式去判任何现实主张的长短—— 界内那些数是本界自己的账，与他人的成与不成无关。

参见

• 堆叠之名 · 比特之价 · 移动之税与换算之税 · 非此身之墙 · 脑构之芯
• 韬定律 · 停钟与断源 · 表前之耳 · 专器之地 · 热漏之环
• 芯猎与魂猎 · 启封之录 · 静作之价 · 标记之役 · 一循之躯
• 数之未验 · 假说档 · 体表之账

出处

• 本页诸词条为现实中半导体工程、先进封装与加速器体系的通行术语，本馆只取其通行写法与通行含义，不取其量产权威数值。
• 「三百毫米晶圆」「约二十六乘三十三毫米光罩极限」二条为现实公开工程常识，本馆照录而不复核。^[2]
• 文中出现的 8.45、89.4%、41.4 倍、117 倍、1,600 倍、0.2 皮焦六格，其来源与性质（文献值、算术所得、自设常数）已在比特之价、移动之税与换算之税与数之未验逐格标注，本页不重复。
• 「界内只用到六格」一节由本馆按上述讲稿实际引用的数字撮合而成，属「本馆推定」。
• 「电、热与时间的一列」诸词条取自现实中的低功耗设计、近阈值电路与功率侧信道三门文献的通行写法；本馆不引任何一篇具体论文的数值。其中「约六十毫伏每十倍」是亚阈值摆幅在室温下的理论下限，属现实公开常识，界内所用的是另一格。
• 「时间缩微」「逻辑折叠」二条为现实公开报道中的名目，其确切工程含义各家表述不一，本馆按名目收录，不作解释性复原。
• 「韬（τ）定律」「时间缩微」一名之提出者为何庭波（华为），公开场合为 2026 年 5 月 25 日于上海的 IEEE ISCAS。本页只记此名与此自陈，不记其论文——原文本馆未取到，本界所见皆出转述；其四条路的界内读法见韬定律，界内自己的推演一律署界内之名。